名稱 : 高輝度LED用基板及其晶膜成長法
公告/公開日 : 19900201
發明人名 : 野口雅弘
代理人 : 彭秀霞
摘要 : 本發明之高輝度LED用基板及其晶膜成長法，係用Au Zn合金作為Ｐ型Alx
公告/公開日 : 19900201
發明人名 : 野口雅弘
代理人 : 彭秀霞
摘要 : 本發明之高輝度LED用基板及其晶膜成長法，係用Au Zn合金作為Ｐ型Alx
名稱 : 處理裝置及方法(二)
公告/公開日 : 19900201
發明人名 : 史瑞查;侯可瑞;海拉達;馬羅勃;樓理;優瑞特;戴沙塞
代理人 : 蔡中曾
摘要 : 本發明係關於一種程序模組其設有遠處電漿產生器(2010)及原處電漿產生器(2028)，一紫外線源(2024)以及一輻射加熱器(2050)其代表四組個別之能源。該四組能源可單獨使用或以任何組合方式使用且可個別加以控制。附註：本案已向美國申請專利，申請日期：西曆1987年;7月16日;案號：074,113
公告/公開日 : 19900201
發明人名 : 史瑞查;侯可瑞;海拉達;馬羅勃;樓理;優瑞特;戴沙塞
代理人 : 蔡中曾
摘要 : 本發明係關於一種程序模組其設有遠處電漿產生器(2010)及原處電漿產生器(2028)，一紫外線源(2024)以及一輻射加熱器(2050)其代表四組個別之能源。該四組能源可單獨使用或以任何組合方式使用且可個別加以控制。附註：本案已向美國申請專利，申請日期：西曆1987年;7月16日;案號：074,113
名稱 : 處理裝理及方法(十)
公告/公開日 : 19900201
發明人名 : 海拉達;馬羅勃;喬强生;樓理;優瑞特;戴沙塞
代理人 : 蔡中曾
摘要 : 本發明係關於一種處理裝置（1300）及方法其中一積體電路晶片(48)係暴露於一由第一電漿（1326）所產生之活性種類下而該第一電漿與晶片(48)相互分離但位於晶片之處理氣流（1322）之上游處，另亦暴露於由一第二電漿所產生之離子轟擊下而該第二電漿具有一黑暗空間其實質連接晶片(48)之表面(54)。使原處電漿保持於一相當低之功率狀態下較為有利，使得遠處電漿可產生活性種類，因此原處電漿之功率等級可加以調整以使離子轟擊能量最佳化。附註：本案已向美國申請專利，申請日期：西曆1987年;7月16日;案號：074,377
公告/公開日 : 19900201
發明人名 : 海拉達;馬羅勃;喬强生;樓理;優瑞特;戴沙塞
代理人 : 蔡中曾
摘要 : 本發明係關於一種處理裝置（1300）及方法其中一積體電路晶片(48)係暴露於一由第一電漿（1326）所產生之活性種類下而該第一電漿與晶片(48)相互分離但位於晶片之處理氣流（1322）之上游處，另亦暴露於由一第二電漿所產生之離子轟擊下而該第二電漿具有一黑暗空間其實質連接晶片(48)之表面(54)。使原處電漿保持於一相當低之功率狀態下較為有利，使得遠處電漿可產生活性種類，因此原處電漿之功率等級可加以調整以使離子轟擊能量最佳化。附註：本案已向美國申請專利，申請日期：西曆1987年;7月16日;案號：074,377
名稱 : 半導體裝置之硬化爐系統
公告/公開日 : 19900201
發明人名 : 艾勃.約翰.蘭林卡;瑪約瑞.辛.巴克斯特
代理人 : 陳長文
摘要 : 用以製造半導體之自動硬化爐系統。此種系統可順利配合各種半導體處理步驟所用之自動化機器，因其採用供基多其他步驟用之相同之半導體裝置固持盒。半導體裝置固持盒本身用作爐室，故省去甚多人工處理步驟。
公告/公開日 : 19900201
發明人名 : 艾勃.約翰.蘭林卡;瑪約瑞.辛.巴克斯特
代理人 : 陳長文
摘要 : 用以製造半導體之自動硬化爐系統。此種系統可順利配合各種半導體處理步驟所用之自動化機器，因其採用供基多其他步驟用之相同之半導體裝置固持盒。半導體裝置固持盒本身用作爐室，故省去甚多人工處理步驟。
名稱 : 具有可雷射改變的金屬噴敷層的積體電路
公告/公開日 : 19900201
發明人名 : 理查.哈林斯溫;邁可.柯費
代理人 : 林敏生
摘要 : 公佈一積體電路及改變此電路（例如，在此電路的最後試驗期間）之一方法。此方法可使電路程式化，配線電路不良的部分，或者藉由一如雷射的有向能源以切斷積體電路較高金屬噴敷層的電路徑而永久地改變此電路。此積體電路包含一呈疊片狀的較高金屬噴敷層，於金屬噴敷層的選定位置上，由可雷射改變的較低層上去除疊片的較高層，以提供電路上的雷射改變位置。在一可取實施例中，較高金屬噴敷層包含一二層的疊片，其包括一較厚的鋁矽合金較高層，及一較薄的鈦氮化物較低層。
公告/公開日 : 19900201
發明人名 : 理查.哈林斯溫;邁可.柯費
代理人 : 林敏生
摘要 : 公佈一積體電路及改變此電路（例如，在此電路的最後試驗期間）之一方法。此方法可使電路程式化，配線電路不良的部分，或者藉由一如雷射的有向能源以切斷積體電路較高金屬噴敷層的電路徑而永久地改變此電路。此積體電路包含一呈疊片狀的較高金屬噴敷層，於金屬噴敷層的選定位置上，由可雷射改變的較低層上去除疊片的較高層，以提供電路上的雷射改變位置。在一可取實施例中，較高金屬噴敷層包含一二層的疊片，其包括一較厚的鋁矽合金較高層，及一較薄的鈦氮化物較低層。