名稱 : 磷化銦半導體的不純物擴散方法
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 宋嘉斌;郭瑞園
摘要 : 本發明係一種磷化銦半導體的不純物擴散方法，係將裝載擴散原料的磷化鎘及紅磷的石英船和裝載磷化銦晶片的石英晶片載具放入石英管內，真空封管後，先令石英管內之真空擴散室放在熱處理爐的開口處附近預先加熱，使擴散開始時，擴散室的磷蒸壓力很快就達到防止晶片熱破壞所需的值；再者擴散原料中的紅磷亦具有擴散初期抑制磷分子自晶片表面蒸發的效果；於擴散完成後，先將石英管拉至使擴散室內的擴散原料仍留在熱處理內的位置，使位於熱處理爐出口附近的擴散室先行冷卻，如此析出物將附著於其內側管壁上，使得擴散後晶片表面保持光滑，不會有析出物產生，同時該種方法一次能擴散多片的磷化銦晶片，適用於大量製造鎘擴散磷化銦晶片上。
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 宋嘉斌;郭瑞園
摘要 : 本發明係一種磷化銦半導體的不純物擴散方法，係將裝載擴散原料的磷化鎘及紅磷的石英船和裝載磷化銦晶片的石英晶片載具放入石英管內，真空封管後，先令石英管內之真空擴散室放在熱處理爐的開口處附近預先加熱，使擴散開始時，擴散室的磷蒸壓力很快就達到防止晶片熱破壞所需的值；再者擴散原料中的紅磷亦具有擴散初期抑制磷分子自晶片表面蒸發的效果；於擴散完成後，先將石英管拉至使擴散室內的擴散原料仍留在熱處理內的位置，使位於熱處理爐出口附近的擴散室先行冷卻，如此析出物將附著於其內側管壁上，使得擴散後晶片表面保持光滑，不會有析出物產生，同時該種方法一次能擴散多片的磷化銦晶片，適用於大量製造鎘擴散磷化銦晶片上。
名稱 : 半導體記憶裝置
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 艾利.史洛伯
代理人 : 陳長文
摘要 : 在動態記憶器中，其電源電壓通常容許有標稱值１０％之波動變化。因在讀取時，輸入閘波施加於電源上，電源中此一波動變化乃在輸入閘波下方所形成之充電包封中產生２０％之起伏。為消除此一起伏變化，並進而使其他干擾源之容許干擾餘量增加，乃在源區與輸入閘之間配置一電壓穩定電路，以使在電源中之起伏變化在源區中亦產生，此一結果乃使充電包封之大小變為與電源無關。對於電壓穩定電路，可方便利用能帶隙基準。
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 艾利.史洛伯
代理人 : 陳長文
摘要 : 在動態記憶器中，其電源電壓通常容許有標稱值１０％之波動變化。因在讀取時，輸入閘波施加於電源上，電源中此一波動變化乃在輸入閘波下方所形成之充電包封中產生２０％之起伏。為消除此一起伏變化，並進而使其他干擾源之容許干擾餘量增加，乃在源區與輸入閘之間配置一電壓穩定電路，以使在電源中之起伏變化在源區中亦產生，此一結果乃使充電包封之大小變為與電源無關。對於電壓穩定電路，可方便利用能帶隙基準。
名稱 : 氫氣儲存方法及氫化物電極材料之化學組成法
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 洪國治
代理人 : 吳宏山
摘要 : 本發明係有關一種氫氣儲藏材料及它們的電化學應用，更特定地，本發明為多種蓄電池用，係有關一種特殊氫化物電極材料的化學成分及組成，本發明也進一步提供一種簡單但卻極為有效的方法，用以選擇有用的氫化物電極材料。本案於1987年11月17日向美國提出申請，案號為07/122042
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 洪國治
代理人 : 吳宏山
摘要 : 本發明係有關一種氫氣儲藏材料及它們的電化學應用，更特定地，本發明為多種蓄電池用，係有關一種特殊氫化物電極材料的化學成分及組成，本發明也進一步提供一種簡單但卻極為有效的方法，用以選擇有用的氫化物電極材料。本案於1987年11月17日向美國提出申請，案號為07/122042
名稱 : 活動通訊天漞
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 島崎哲夫
代理人 : 陳嗣慶
摘要 : 用於VHF和UHF範圍選定頻帶之活動通訊天總成，具有輻射元件，分成第一、第二、和第三縱列輻射段。第一和第二段各有電氣長度實質上等於選定頻帶的八分之五波長，而第三段之電氣長度實質上等於四分之一波長。相感應器元件連接諸段，在諸段輻射的電氣信號間維持預定的相關係。第三段又具有輻射表面積，實質上大於第一和第二段的輻射表面積。第三段的基端安裝在高出表面以上。輸電連接於阻抗匹配機構，在二阻抗實質上相等之點。本案已向美國申請專利，申請日期：1988年6月3日;案號：U.S.S.N. 07/202,123
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 島崎哲夫
代理人 : 陳嗣慶
摘要 : 用於VHF和UHF範圍選定頻帶之活動通訊天總成，具有輻射元件，分成第一、第二、和第三縱列輻射段。第一和第二段各有電氣長度實質上等於選定頻帶的八分之五波長，而第三段之電氣長度實質上等於四分之一波長。相感應器元件連接諸段，在諸段輻射的電氣信號間維持預定的相關係。第三段又具有輻射表面積，實質上大於第一和第二段的輻射表面積。第三段的基端安裝在高出表面以上。輸電連接於阻抗匹配機構，在二阻抗實質上相等之點。本案已向美國申請專利，申請日期：1988年6月3日;案號：U.S.S.N. 07/202,123
名稱 : 一種插座開關兩用裝置
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 蘭榮慶
摘要 : 本創作係一種插座，開關兩用裝置，包括一底座，一上蓋及二固定片等所構成，其特徵在於：藉經開關基座之左右移動，由開關基座導電彈片與底座導電彈片之接觸與否，或插頭之插置與否，為開關之切換者。
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 蘭榮慶
摘要 : 本創作係一種插座，開關兩用裝置，包括一底座，一上蓋及二固定片等所構成，其特徵在於：藉經開關基座之左右移動，由開關基座導電彈片與底座導電彈片之接觸與否，或插頭之插置與否，為開關之切換者。