名稱 : 用來確定一複雜的操作廠符合技術規範的機械實施的系統
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 小唐納德.保羅.瑞林吉;尼古拉斯.詹姆士.里普洛;密歇爾.傑佛瑞.洛特
代理人 : 林敏生
摘要 : 在一核動力廠中與技術規範（技規）衝突的組件和系統被在一組串級的操作能力樹上模擬，此樹代表可造成不符合技規的組件，系統和參數狀態的各種組合。用於操作能力樹上的切集被編入一數位計算機的資料庫內的一切集表內。某些造成一最大事件活化的基礎事件，比如未符合技規，可藉著顛倒搜尋切集表內的切集的過程來鑑定。
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 小唐納德.保羅.瑞林吉;尼古拉斯.詹姆士.里普洛;密歇爾.傑佛瑞.洛特
代理人 : 林敏生
摘要 : 在一核動力廠中與技術規範（技規）衝突的組件和系統被在一組串級的操作能力樹上模擬，此樹代表可造成不符合技規的組件，系統和參數狀態的各種組合。用於操作能力樹上的切集被編入一數位計算機的資料庫內的一切集表內。某些造成一最大事件活化的基礎事件，比如未符合技規，可藉著顛倒搜尋切集表內的切集的過程來鑑定。
名稱 : 製造超導材料層之方法以及包括以該方法製造的超導材料層之裝置和系統
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 米歇爾.艾迪斯.葛羅斯;凱薩林.艾倫.萊斯
代理人 : 林敏生
摘要 : 本發明揭示一種在基質（22）上形成超導氧化物層（21）的方法。此方法包含將一先質溶液施加於此基質的大部份表面上以使一含金屬層形成於此表面上，以及熱處理此基質／層狀物的組合以使至少實質部份的層狀物材料轉變成超導氧化物。在範例上，將含有Ba，Ｙ及Cu的化合物溶於醋酸及水中而形成先質溶液，將此溶液旋覆於 MgO基質上，於400℃下餾出所產生層狀物中無用的組份，在O2中加熱此組合至約830℃以形成與
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 米歇爾.艾迪斯.葛羅斯;凱薩林.艾倫.萊斯
代理人 : 林敏生
摘要 : 本發明揭示一種在基質（22）上形成超導氧化物層（21）的方法。此方法包含將一先質溶液施加於此基質的大部份表面上以使一含金屬層形成於此表面上，以及熱處理此基質／層狀物的組合以使至少實質部份的層狀物材料轉變成超導氧化物。在範例上，將含有Ba，Ｙ及Cu的化合物溶於醋酸及水中而形成先質溶液，將此溶液旋覆於 MgO基質上，於400℃下餾出所產生層狀物中無用的組份，在O2中加熱此組合至約830℃以形成與
名稱 : 環型變壓器線圈之繞線方法(一)
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 郭鈾揚
代理人 : 林鎰珠
摘要 : 本發明係關於一種環型變壓器線圈之繞線方法（一），其係將繞線時，環型鐵心之旋轉速度減慢，使其以（原先之旋轉速／Ｎ）之速度旋轉，該Ｎ值係為線圈本身外繞之漆包線層數，而再使繞線機以原有之速度進行繞線，以鐵心與繞線機間之速度差，使漆包線以疊置之方式，令使鐵心旋轉一圈後即完成繞線工作，而此時繞於線圈外之漆包線，係依其繞線之次序呈依序排列，因此不會使高圈數之漆包線與低圈數之漆包線有接觸之情況產生，相對的，也不會產生極大之電位差，藉此使可完全改進漏磁現象之環型變壓器，本身之危險性降低最低，而提供一更為實用之環型變壓器。
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 郭鈾揚
代理人 : 林鎰珠
摘要 : 本發明係關於一種環型變壓器線圈之繞線方法（一），其係將繞線時，環型鐵心之旋轉速度減慢，使其以（原先之旋轉速／Ｎ）之速度旋轉，該Ｎ值係為線圈本身外繞之漆包線層數，而再使繞線機以原有之速度進行繞線，以鐵心與繞線機間之速度差，使漆包線以疊置之方式，令使鐵心旋轉一圈後即完成繞線工作，而此時繞於線圈外之漆包線，係依其繞線之次序呈依序排列，因此不會使高圈數之漆包線與低圈數之漆包線有接觸之情況產生，相對的，也不會產生極大之電位差，藉此使可完全改進漏磁現象之環型變壓器，本身之危險性降低最低，而提供一更為實用之環型變壓器。
名稱 : 使用透光幕之顯示系統及其製造方法
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 文生.唐那霍格;史提夫.唐恩;布魯斯.勞倫斯.約翰.馬瑞;威廉.納維.席頓.强生;納.傑.菲利浦
代理人 : 陳長文
摘要 : 電視或其他顯示系統包括有光學系統，配置以使其圖像管或相當裝置之放大影像，投射至包括有微透鏡行列之發光幕之影像螢幕上。;此透光幕係為一光聚合體層，其中，例如，經由一適當之遮蔽罩，依相對應單體層對紫外光之選擇性曝光量構成分級折射率微透鏡行列。
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 文生.唐那霍格;史提夫.唐恩;布魯斯.勞倫斯.約翰.馬瑞;威廉.納維.席頓.强生;納.傑.菲利浦
代理人 : 陳長文
摘要 : 電視或其他顯示系統包括有光學系統，配置以使其圖像管或相當裝置之放大影像，投射至包括有微透鏡行列之發光幕之影像螢幕上。;此透光幕係為一光聚合體層，其中，例如，經由一適當之遮蔽罩，依相對應單體層對紫外光之選擇性曝光量構成分級折射率微透鏡行列。
名稱 : 晶體成長裝置及方法
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 大衛哈威
代理人 : 田德儉
摘要 : 對於使用邊緣固定、薄膜送入生長法（EFG法）製作中空管狀結晶體之裝置中於坩堝模總成及相關裝置內裝成分離之內側氣體通道與外側氣體通道，使適於對所生長之中空管狀結晶體所需內側與外側氣體，並對溫度作有效的控制以改善所製作中空管狀結晶的之品質。附註：本案已向美國（地區）申請專利，申請日期1987年3月27日案號：031,329號
公告/公開日 : 19900121
發明人名 : 大衛哈威
代理人 : 田德儉
摘要 : 對於使用邊緣固定、薄膜送入生長法（EFG法）製作中空管狀結晶體之裝置中於坩堝模總成及相關裝置內裝成分離之內側氣體通道與外側氣體通道，使適於對所生長之中空管狀結晶體所需內側與外側氣體，並對溫度作有效的控制以改善所製作中空管狀結晶的之品質。附註：本案已向美國（地區）申請專利，申請日期1987年3月27日案號：031,329號