名稱 : 含有轉換式反應力電晶體之邏輯電路
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 簡.狄肯;羅洛夫.赫曼.威廉.索特斯
代理人 : 陳長文
摘要 : 本發明係關于與一還輯電路分電路相疊接，藉以保護此分電路之另外電晶體以防熱載體應力與熱載體退化之一添加電晶體者。在含有第一傳導型電晶體之邏輯電路中，將一添加之第二傳導型電晶體作疊接配置。此一添加電晶體乃連接成為同一個二極體或成為一電流源，端視該電路之輸出電壓而定。本發明之進一步方面係關於用以轉換該添加電晶體之轉換裝置與該添加電晶體須予插入之位置。
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 簡.狄肯;羅洛夫.赫曼.威廉.索特斯
代理人 : 陳長文
摘要 : 本發明係關于與一還輯電路分電路相疊接，藉以保護此分電路之另外電晶體以防熱載體應力與熱載體退化之一添加電晶體者。在含有第一傳導型電晶體之邏輯電路中，將一添加之第二傳導型電晶體作疊接配置。此一添加電晶體乃連接成為同一個二極體或成為一電流源，端視該電路之輸出電壓而定。本發明之進一步方面係關於用以轉換該添加電晶體之轉換裝置與該添加電晶體須予插入之位置。
名稱 : 微波高功率PIN二極體之製作方法
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 李清庭;張忠繼;莊豐裕;湯永照
摘要 : 本案揭示一新型微波高功率PIN二極體之製作方法，為降低成本，不用高價格之矽磊晶片，而以雙面擴散製造一反向崩潰電壓大於600V，同時在600V下的漏電流 100nA之PIN二極體。;為使此PIN二極體在50mA順向偏流，500MHz時之電阻值小於0.4歐姆且可以鉛錫牢固焊接在散熱座上，因此發明在P+及N+層所使用之歐姆接觸金屬及焊接金屬分別為矽化鉑／鈦鎢／濺鍍金／電鍍金，及鈦鎢／濺鍍金／電鍍鎳／電鍍金，以達到所需之功能。本二極體在反向偏壓-40V，測試頻率1MHz下之電容值為2.2±0.1pF。
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 李清庭;張忠繼;莊豐裕;湯永照
摘要 : 本案揭示一新型微波高功率PIN二極體之製作方法，為降低成本，不用高價格之矽磊晶片，而以雙面擴散製造一反向崩潰電壓大於600V，同時在600V下的漏電流 100nA之PIN二極體。;為使此PIN二極體在50mA順向偏流，500MHz時之電阻值小於0.4歐姆且可以鉛錫牢固焊接在散熱座上，因此發明在P+及N+層所使用之歐姆接觸金屬及焊接金屬分別為矽化鉑／鈦鎢／濺鍍金／電鍍金，及鈦鎢／濺鍍金／電鍍鎳／電鍍金，以達到所需之功能。本二極體在反向偏壓-40V，測試頻率1MHz下之電容值為2.2±0.1pF。
名稱 : 半導體集體電路裝置及其製造方法
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 矢?和男;品川裕;宮本亨
代理人 : 林敏生
摘要 : 如被寫入指令程式的ROM，在依被寫入的情報而選擇;word 線的順序會有種種變化之半導體集體電路裝置，被揭示不需要增加製造工程，在決定
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 矢?和男;品川裕;宮本亨
代理人 : 林敏生
摘要 : 如被寫入指令程式的ROM，在依被寫入的情報而選擇;word 線的順序會有種種變化之半導體集體電路裝置，被揭示不需要增加製造工程，在決定
名稱 : 用於IC晶片載子之高密度連接器
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 迪米特利.基.格列伯
代理人 : 陳傳岳
摘要 : 本發明係有關一種 IC
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 迪米特利.基.格列伯
代理人 : 陳傳岳
摘要 : 本發明係有關一種 IC
名稱 : X–光罩
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 姜浩英
代理人 : 鄭再欽
摘要 : 一種Ｘ－光罩，可產生一微小精密的映像在一半導體基層，其係為一經由接地的電荷傳導薄膜附著在基板與一Ｘ－射線吸收體之間，以吸收該吸收體本身四周所累積之電荷者；因此，能夠非常正確的檢查出每一光罩之上圖像旳線路寬度與缺陷所在。;環繞且逐漸累積在Ｘ－射線吸收體四周的電荷，將會導致掃描的電子束產生反射現象，因此無法對罩體圖像作正確的測量，於是，已經被接地的電荷傳導薄膜可在電荷累積之前即加以吸收，故可防止掃描用的電子射線產生反射現象，並且還可大大提高測量光罩圖像的正確性。
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 姜浩英
代理人 : 鄭再欽
摘要 : 一種Ｘ－光罩，可產生一微小精密的映像在一半導體基層，其係為一經由接地的電荷傳導薄膜附著在基板與一Ｘ－射線吸收體之間，以吸收該吸收體本身四周所累積之電荷者；因此，能夠非常正確的檢查出每一光罩之上圖像旳線路寬度與缺陷所在。;環繞且逐漸累積在Ｘ－射線吸收體四周的電荷，將會導致掃描的電子束產生反射現象，因此無法對罩體圖像作正確的測量，於是，已經被接地的電荷傳導薄膜可在電荷累積之前即加以吸收，故可防止掃描用的電子射線產生反射現象，並且還可大大提高測量光罩圖像的正確性。