名稱 : 螢光顯示裝置
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 大關實;林正健;鞭常雄
代理人 : 林敏生
摘要 : 本發明有關於高輝度發光的螢光顯示裝置．具有;多數之高電壓外加之螢光體片段，及陰極，及對應於上數各片段而配設之多數控制電極，以及在上述陰極與上述控制電極之間，對應於上述片段之多數個而配設之共同電子束取出機構，;控制上述各控制電極之電壓而使上述片段選擇的發光顯示而構成為其特徵者。
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 大關實;林正健;鞭常雄
代理人 : 林敏生
摘要 : 本發明有關於高輝度發光的螢光顯示裝置．具有;多數之高電壓外加之螢光體片段，及陰極，及對應於上數各片段而配設之多數控制電極，以及在上述陰極與上述控制電極之間，對應於上述片段之多數個而配設之共同電子束取出機構，;控制上述各控制電極之電壓而使上述片段選擇的發光顯示而構成為其特徵者。
名稱 : 電氣白熾燈以及所用之吹製玻璃燈泡
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 派卓斯.安卓奴斯.約瑟夫.賀頓
代理人 : 陳長文
摘要 : 電氣白熾燈具有一吹製之玻璃燈皿(1)，該燈皿具有一個頸形壁部份(4)，一個依一圓弧彎曲具實質上延伸在橫軸方向之牆壁部份（８，８'），以及一個依一圓弧彎曲且實質上延伸在軸方向(2)之牆壁部分（９，９'）。一燈絲(11)安置在最大直徑(3)附近。電氣白熾燈具有之優點為，不管其表面處理(19)如何，對於燈絲(11)它具有一個相同形狀及相同燈絲座裝置(12)之燈皿(1)。因此不同種類之白熾燈之製作相當地簡單。
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 派卓斯.安卓奴斯.約瑟夫.賀頓
代理人 : 陳長文
摘要 : 電氣白熾燈具有一吹製之玻璃燈皿(1)，該燈皿具有一個頸形壁部份(4)，一個依一圓弧彎曲具實質上延伸在橫軸方向之牆壁部份（８，８'），以及一個依一圓弧彎曲且實質上延伸在軸方向(2)之牆壁部分（９，９'）。一燈絲(11)安置在最大直徑(3)附近。電氣白熾燈具有之優點為，不管其表面處理(19)如何，對於燈絲(11)它具有一個相同形狀及相同燈絲座裝置(12)之燈皿(1)。因此不同種類之白熾燈之製作相當地簡單。
名稱 : 在一積成電路片上使用晶種成長導體塑造互聯層之方法
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 柿本紀博
代理人 : 鄭自添
摘要 : 一種積體電路互連層之形成方法，在一個絕緣材料層中埋設導體圖案而形成導體－絕緣材料層。導體－絕緣材料層係藉由選擇地將一個絕緣材料層中之凹部填充以導電材料而予以形成。凹部之填充係以兩個步驟完成：選擇地將導電材料澱積於凹部之底部內之種子材料上，藉此澱積初始導電材料層；然後，選擇地將導電材料澱積於存在之導電材料上，藉此澱積主體導電材料。;1986年 7
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 柿本紀博
代理人 : 鄭自添
摘要 : 一種積體電路互連層之形成方法，在一個絕緣材料層中埋設導體圖案而形成導體－絕緣材料層。導體－絕緣材料層係藉由選擇地將一個絕緣材料層中之凹部填充以導電材料而予以形成。凹部之填充係以兩個步驟完成：選擇地將導電材料澱積於凹部之底部內之種子材料上，藉此澱積初始導電材料層；然後，選擇地將導電材料澱積於存在之導電材料上，藉此澱積主體導電材料。;1986年 7
名稱 : 包括超導體之裝置及製造此超導體之方法
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 小大衛.威爾佛烈.强生;恩斯特.密歇爾.喬治
代理人 : 林敏生
摘要 : 絲狀和片狀氧化物超導體能以陶瓷製造支術來生產，如擠壓，網目印刷，磁帶鑄造，條狀物鑄造，若烘燒狀況破選定在陶瓷中正確之氧缺乏量，避免和化學不相容性之物質接觸，所生產之超導體可利於合併編入如磁源，電纜，交互連接，電子原件，感應器等裝置。
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 小大衛.威爾佛烈.强生;恩斯特.密歇爾.喬治
代理人 : 林敏生
摘要 : 絲狀和片狀氧化物超導體能以陶瓷製造支術來生產，如擠壓，網目印刷，磁帶鑄造，條狀物鑄造，若烘燒狀況破選定在陶瓷中正確之氧缺乏量，避免和化學不相容性之物質接觸，所生產之超導體可利於合併編入如磁源，電纜，交互連接，電子原件，感應器等裝置。
名稱 : 半導體裝置之自行對準之金屬積覆及選擇使用沉積之鎢之方法
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 保羅 塞查理斯
代理人 : 陳長文
摘要 : 說明一種金屬氧化物半導體（MOS）之自行對準之金屬積覆，其中第一層鎢係選擇況積於此種裝置之露出之矽面上，包括至少此裝置之源極、吸極及閘極區，一層提供鎢之晶核形成位置之材料係選擇形成於此裝置之絕緣氧化物區上，以及一第二鎢層係選擇沈積於晶核形成層及露出之第一鎢層上，以產生跨各氧化物區之相互連接。除了有低電阻係數外，此種金屬積覆可放寬掩罩對準及蝕刻容差之要求，所以，在極大型積體電路方面極有用。
公告/公開日 : 19900101
發明人名 : 保羅 塞查理斯
代理人 : 陳長文
摘要 : 說明一種金屬氧化物半導體（MOS）之自行對準之金屬積覆，其中第一層鎢係選擇況積於此種裝置之露出之矽面上，包括至少此裝置之源極、吸極及閘極區，一層提供鎢之晶核形成位置之材料係選擇形成於此裝置之絕緣氧化物區上，以及一第二鎢層係選擇沈積於晶核形成層及露出之第一鎢層上，以產生跨各氧化物區之相互連接。除了有低電阻係數外，此種金屬積覆可放寬掩罩對準及蝕刻容差之要求，所以，在極大型積體電路方面極有用。